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SI2304DDS-T1-GE3
Voltage: 30V, Current: 3.6A, Power: 1.7W, Resistance: 60mohm @ 10V
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI2304DDS-T1-GE3
Datenblatt: SI2304DDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.614 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,080 | $0,400 |
| 50 | $0,070 | $3,500 |
| 150 | $0,065 | $9,750 |
| 500 | $0,062 | $31,000 |
| 3000 | $0,053 | $159,000 |
| 6000 | $0,051 | $306,000 |
Auf Lager: 6.614 Stck
SI2304DDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 30 V 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Funktionen
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Qg - Gate Charge | 6.7 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 5 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns | Part # Aliases | SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-GE3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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