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$5000FDB14N30TM
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
Marken: onsemi
Herstellerteil #: FDB14N30TM
Datenblatt: FDB14N30TM Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDB14N30TM Allgemeine Beschreibung
When it comes to high voltage MOSFETs, the UniFETTM series stands out as a reliable and efficient choice. With its focus on delivering superior performance and energy strength, it is a go-to option for professionals in the field. Whether you're working on power converter applications or electronic lamp ballasts, the UniFETTM MOSFET is a dependable solution for your needs
Funktionen
- RDS(on) = 120mΩ (Max.)@ VGS = 10V, ID = 2A
- Fast switching speed (Typ. 100ns)
- High current handling capability
- RoHS compliant and Halogen-free
Anwendung
- Great for multiple tasks
- Flexible and adaptable
- Works well in any situation
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | FDB14N30 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 75 ns | Forward Transconductance - Min: | 10.5 S |
| Height: | 4.83 mm | Length: | 10.67 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 105 ns |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Width: | 9.65 mm |
| Unit Weight: | 0.139332 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDB14N30TM is a high-performance N-channel MOSFET chip designed for various power applications. It offers low on-resistance, high current capability, and efficient switching characteristics. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
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Equivalent
The equivalents of FDB14N30TM chip are Infineon IPP14N03LA, Fairchild FDP14N30, and Vishay SIHF14N30G. These chips are similar in specifications and are compatible as replacements. -
Features
The FDB14N30TM is a 300V, 14A N-channel MOSFET with low on-resistance and high current capability suitable for power management applications. It features a TO-263-2 package with a low thermal resistance, enabling efficient heat dissipation. Its high drain-source voltage and rugged design make it ideal for industrial and automotive applications. -
Pinout
The pin count of FDB14N30TM is 3 pins and it is a N-channel MOSFET transistor. Its function is to switch and amplify electronic signals in electronic circuits, especially in power management applications. -
Manufacturer
FDB14N30TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, a leading company in the design and production of power management semiconductors. Fairchild Semiconductor develops and manufactures a wide range of products for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. Their products are known for their high quality, reliability, and efficiency. -
Application Field
The FDB14N30TM is commonly used in high efficiency lighting applications, power supplies, low voltage motor control, and automotive systems. Its high current rating, low on-resistance, and fast switching speed make it ideal for these applications where efficient power management is crucial. -
Package
The FDB14N30TM chip is a Power MOSFET transistor packaged in TO-263 form with a size of 10.4mm x 24.4mm and a thickness of 4.6mm.
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