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$5000FDG311N
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: FDG311N
Datenblatt: FDG311N Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.559 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,492 | $0,492 |
200 | $0,191 | $38,200 |
500 | $0,184 | $92,000 |
1000 | $0,181 | $181,000 |
Auf Lager: 7.559 Stck
FDG311N Allgemeine Beschreibung
Designed to meet the needs of modern electronics, the FDG311N MOSFET sets a new standard with its optimized PowerTrench process. This results in a MOSFET that offers exceptional performance, giving engineers the flexibility and reliability they require for their portable electronics design projects
Funktionen
- Improved reliability
- Low noise emission
- RDS(ON) = 0.010 Ω @ VGS = 5 V
- Suitable for automotive applications
- High-performance trench technology
- Compact industry standard DFN8 package
Anwendung
- This product is versatile and adaptable.
- Perfect for a variety of uses.
- Great for numerous applications.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-323-6 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 1.9 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 115 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV | Qg - Gate Charge | 4.5 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 750 mW | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDG311N |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 9 ns | Forward Transconductance - Min | 6 S |
Height | 1.1 mm | Length | 2 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 9 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns | Width | 1.25 mm |
Part # Aliases | FDG311N_NL |
Versand
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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