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$5000FDPF12N60NZ
00V Unipolar Transistor
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDPF12N60NZ
Datenblatt: FDPF12N60NZ Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.685 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDPF12N60NZ Allgemeine Beschreibung
Leveraging state-of-the-art technology, the FDPF12N60NZ UniFETTM II MOSFET delivers exceptional performance in high voltage scenarios. Its advanced design not only reduces on-state resistance but also provides superior switching capabilities, making it a standout choice for power converter applications. The device's ability to withstand over 2kV HBM surge stress, thanks to its internal gate-source ESD diode, further enhances its reliability and longevity. With its suitability for a wide range of applications including power factor correction, flat panel display TV power, and electronic lamp ballasts, the FDPF12N60NZ offers an innovative solution for high voltage MOSFET requirements
Funktionen
- Safe Operating Area
- Low Gate Charge
- Rapid Diode Turn-On
- Fully Compliant RoHS
- High Temperature Range
- Low Inductance Package
Anwendung
- For industrial use only
- Perfect for home appliances
- Essential for electronic devices
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 530 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V | Qg - Gate Charge | 34 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 39 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | UniFET | Series | FDPF12N60NZ |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 130 ns | Forward Transconductance - Min | 13.5 S |
| Height | 16.07 mm | Length | 10.36 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 110 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 170 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 60 ns | Width | 4.9 mm |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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