Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

FDS5680

N-Channel 60 V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ONSEMI

Herstellerteil #: FDS5680

Datenblatt: FDS5680 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: 8-SOIC

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8.062 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für FDS5680 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

FDS5680 Allgemeine Beschreibung

Featuring a specialized PowerTrench construction, the FDS5680 N-Channel Logic Level MOSFET combines low on-state resistance with high-performance switching characteristics. Specifically crafted for applications requiring low voltage operation and energy efficiency, this MOSFET excels in scenarios where minimizing power loss is paramount. With its superior design and advanced technology, the FDS5680 is sure to meet the demands of modern electronics designs

Funktionen

  • High-speed switching technology
  • Fully optimized gate drive design
  • Low latency and high reliability
  • Advanced thermal management system

Anwendung

  • High performance
  • Low power consumption
  • Compact design

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Source Content uid FDS5680 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer ONSEMI
Package Description SOP-8 Manufacturer Package Code 751EB
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer onsemi Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 8 A Drain-source On Resistance-Max 0.02 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 100 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G8 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 50 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Max (toff) 76 ns
Turn-on Time-Max (ton) 40 ns

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...