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FDS8960C

5V PowerTrench MOSFET 2500-REEL Dual N & P-Channel

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ONSEMI

Herstellerteil #: FDS8960C

Datenblatt: FDS8960C Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOIC

Produktart: FET, MOSFET Arrays

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5.000 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDS8960C Allgemeine Beschreibung

In conclusion, the FDS8960C is an exceptional power MOSFET transistor that offers unparalleled performance and reliability. Its ability to efficiently switch high-power signals makes it an essential component in various applications, including power supply circuits, motor control, and automotive systems

Funktionen

  • This amplifier module features advanced protection
  • It provides excellent thermal efficiency and high power
  • The FDS89 series offers a long lifespan and reliability
  • Its compact design makes it easy to integrate into various systems

Anwendung

  • Compact design
  • Easy integration
  • Cost-effective solution

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Source Content uid FDS8960C Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer ONSEMI
Package Description SO-8 Manufacturer Package Code 751EB
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer onsemi Additional Feature FAST SWITCHING
Avalanche Energy Rating (Eas) 24.5 mJ Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 35 V Drain Current-Max (ID) 7 A
Drain-source On Resistance-Max 0.024 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING

Versand

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    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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