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FDW2501NZ
N-Channel Dual MOSFET, Product Code: FDW2501NZ
Marken: onsemi
Herstellerteil #: FDW2501NZ
Datenblatt: FDW2501NZ Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-TSSOP
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.968 Stück, Neues Original
Produktart: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,365 | $0,365 |
| 200 | $0,141 | $28,200 |
| 500 | $0,136 | $68,000 |
| 1000 | $0,134 | $134,000 |
Auf Lager: 8.968 Stck
FDW2501NZ Allgemeine Beschreibung
Product FDW2501NZ is a high-quality small signal field-effect transistor designed for use in various electronic applications. With a maximum current rating of 5.5A and a voltage rating of 20V, this N-channel MOSFET is capable of efficiently amplifying and switching small signals with ease. The transistor features 2 elements, providing increased functionality and versatility in circuit design
Funktionen
- 5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 25 mΩ @ VGS = 2.5V
- Extended VGSS range (±12V) for battery applications
- ESD protection diode (note 3)
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- Low profile TSSOP-8 package
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays | Mfr | onsemi |
| Series | PowerTrench® | Package | Tape & Reel (TR) |
| Product Status | Obsolete | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 5.5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1286pF @ 10V |
| Power - Max | 600mW | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
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