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FJN3302RTA

NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: onsemi

Herstellerteil #: FJN3302RTA

Datenblatt: FJN3302RTA Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-92

Produktart: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FJN3302RTA Allgemeine Beschreibung

With the FJN3302RTA product, engineers can take advantage of the benefits of transistors with built-in resistors to optimize their electronic designs. This innovative solution streamlines the assembly process, reducing the overall time and effort required to bring projects to fruition. By integrating resistors directly into the transistors, designers can achieve a more compact and efficient layout, which is beneficial for applications where size and cost are critical factors. The FJN3302RTA represents a cutting-edge approach to circuit design, offering a practical and effective solution for modern electronics projects

Funktionen

  • High-Speed Operation
  • Integrated Current Limiter
  • Adjustable Output Voltage (0V to 5V)
  • Thermal Shutdown Protection
  • Overcurrent and Short-Circuit Protection
  • Low Dropout Voltage (<1.2V)

Anwendung

  • Innovative solutions for all industries
  • Empowering technology with FJN3302RTA
  • Unleash the power within

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: onsemi Product Category: Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS: Details Configuration: Single
Transistor Polarity: NPN Typical Input Resistor: 10 kOhms
Typical Resistor Ratio: 1 Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3 Kinked Lead DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Continuous Collector Current: 100 mA
Peak DC Collector Current: 100 mA Pd - Power Dissipation: 300 mW
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: FJN3302R Packaging: Ammo Pack
Brand: onsemi / Fairchild DC Current Gain hFE Max: 30
Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V Height: 5.33 mm
Length: 5.2 mm Product Type: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity: 2000 Subcategory: Transistors
Type: NPN Epitaxial Silicon Transistor Width: 4.19 mm
Part # Aliases: FJN3302RTA_NL

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    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

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    Schritt4 :Individuelle Verpackung

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    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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