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FQA85N06

Power dissipation of 214W under typical operating conditions

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: FQA85N06

Datenblatt: FQA85N06 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-3PN-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 50 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQA85N06 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P

Funktionen

  • 100A, 60V, RDS(on) = 0.010Ω @VGS = 10 V
  • Low gate charge ( typical 86 nC)
  • Low Crss ( typical 165 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
  • 175°C maximum junction temperature rating

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-3PN-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 100 A Rds On - Drain-Source Resistance 10 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 25 V, + 25 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 214 W
Channel Mode Enhancement Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 170 ns
Forward Transconductance - Min 57 S Height 20.1 mm
Length 16.2 mm Product Type MOSFET
Rise Time 230 ns Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 175 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns Width 5 mm
Part # Aliases FQA85N06_NL

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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • The FQA85N06 chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in power supplies, motor control, and automotive systems. The chip is commonly used in electronics to efficiently control high-power loads with minimal heat dissipation.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the FQA85N06 chip are FQA90N06, IRF840, and IRF540. These chips are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics to the FQA85N06 chip.
  • Features

    1. N-channel MOSFET 2. Low on-resistance of 0.012 ohms 3. High current rating of 85A 4. Low gate threshold voltage of 2-4V 5. Low input capacitance of 2300pF 6. Fast switching speed 7. High power dissipation capability 8. Suitable for high power applications like motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    The FQA85N06 is a N-channel MOSFET with a TO-3P package. It has a pin count of 3, with the gate (G) on pin 1, the drain (D) on pin 2, and the source (S) on pin 3. The function of the FQA85N06 is to control the flow of electrical current in power applications.
  • Manufacturer

    The FQA85N06 is manufactured by Fairchild Semiconductor, a company specializing in power components for a variety of industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications. Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.
  • Application Field

    The FQA85N06 is a power MOSFET that can be used in applications such as motor control, power supplies, and power management in a variety of electronic devices such as laptops, servers, and consumer electronics. It is also commonly used in automotive applications for power distribution and control circuits.
  • Package

    The FQA85N06 chip comes in a TO-3P package type, with a through-hole mounting form. It has a size of 10.9 mm x 29.15 mm x 7.5 mm.

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