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FQD1N60CTM
600V-rated N-MOSFET transistor operating in unipolar mode, capable of conducting currents up to 0
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FQD1N60CTM
Datenblatt: FQD1N60CTM Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,494 | $0,494 |
| 10 | $0,441 | $4,410 |
| 30 | $0,416 | $12,480 |
| 100 | $0,390 | $39,000 |
| 500 | $0,374 | $187,000 |
| 1000 | $0,366 | $366,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
FQD1N60CTM Allgemeine Beschreibung
The FQD1N60CTM stands out in the world of power MOSFETs for its innovative design and optimized performance. With a focus on enhancing efficiency and reducing power loss, this N-Channel MOSFET is ideal for a wide range of applications including switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts. Thanks to its unique planar stripe and DMOS technology, this device offers superior on-state resistance and exceptional switching capabilities, making it a top choice for engineers and manufacturers alike
Funktionen
- Long lifespan guaranteed
- Wide operating range
- Low electromagnetic interference
- Suitable for high-vibration applications
- Fully compliant with safety regulations
Anwendung
- Long-lasting
- Weatherproof
- Budget-friendly
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
| Package Type | DPAK-3 / TO-252-3 | Case Outline | 369AS |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
| ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 600 |
| VGS Max (V) | ±30 | VGS(th) Max (V) | 4 |
| ID Max (A) | 1 | PD Max (W) | 28 |
| RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 11500 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 4.8 |
| Ciss Typ (pF) | 130 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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FQD1N60CTM is a power MOSFET chip designed for use in electronic circuits. It can handle high currents and voltages and is commonly used in applications like power supplies and motor control. The chip offers low conduction and switching losses, making it efficient and reliable.
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Equivalent
Some equivalent products of the FQD1N60CTM chip include the IRF840TM, IRF740TM, and IRF840. These are all power MOSFETs with similar characteristics and electrical specifications. -
Features
The main features of FQD1N60CTM are: a maximum drain current of 1.3A, a breakdown voltage of 600V, low on-resistance of 3.6Ω, a gate charge of 10nC, a low capacitance of 285pF, and an integrated zener diode for ESD protection. -
Pinout
The FQD1N60CTM is a power MOSFET with a TO-252 (DPAK) package. The pin count is 3, with the following functions: pin 1 is the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FQD1N60CTM. It is a German semiconductor manufacturer and one of the leading companies in the field of power semiconductors. -
Application Field
The FQD1N60CTM can be used in various applications including switch mode power supplies, motor control, lighting control, and high-frequency inverters. -
Package
The FQD1N60CTM chip has a TO-252 (DPAK) package type, a transistor form, and its size is 6.6mm x 6.2mm x 2.3mm.
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