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FS35R12W1T4
FS35R12W1T4 is a high-power IGBT module capable of handling voltages up to 1.2KV and currents of up to 65A
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: FS35R12W1T4
Datenblatt: FS35R12W1T4 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: Module
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.311 Stück, Neues Original
Produktart: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $80,325 | $80,325 |
| 200 | $31,085 | $6217,000 |
| 500 | $29,993 | $14996,500 |
| 1000 | $29,453 | $29453,000 |
Auf Lager: 7.311 Stck
FS35R12W1T4 Allgemeine Beschreibung
Designed with protection in mind, the FS35R12W1T4 module offers peace of mind with its high level of defense against short circuits, over-voltage, and over-temperature conditions. This ensures long-term reliability and consistent performance, even in the most demanding environments. Furthermore, its low inductance design contributes to improved switching performance, making it a top choice for applications where efficiency is key. In conclusion, the FS35R12W1T4 is a high-power module that excels in performance, reliability, and ease of integration, making it a standout option for engineers looking to power their next project with confidence
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tray | Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop | Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 65 A |
| Power - Max | 225 W | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA | Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2 nF @ 25 V |
| Input | Standard | NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module | Supplier Device Package | Module |
| Base Product Number | FS35R12 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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FS35R12W1T4 is a power semiconductor module chip designed for high-power applications. It features low-loss IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) and diodes, allowing for efficient and reliable operation. The chip helps in the conversion of electrical energy by providing high power density and compatibility with various control strategies. Overall, FS35R12W1T4 offers enhanced power performance and flexibility for a range of industrial and commercial applications.
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Features
The FS35R12W1T4 is a power module designed for high power density applications. It has a maximum continuous collector current of 35A and a maximum collector-emitter voltage of 1200V. It offers low switching losses, low stray inductance, and high thermal cycling capability, making it suitable for use in high-frequency switching applications. -
Pinout
The FS35R12W1T4 is a module for a 1200V power switch. It has a pin count of 7 and the pins serve the functions of gate driver, collector connection, emitter connection, temperature sense, reset, and power supply connections. -
Manufacturer
The manufacturer of the FS35R12W1T4 is Infineon Technologies AG. It is a German multinational semiconductor and system solutions company. -
Application Field
The FS35R12W1T4 is a power module used in various applications, including renewable energy systems, motor control, industrial inverters, and electric vehicles. It provides efficient power conversion and reliable performance in these applications, making it suitable for demanding power electronics applications. -
Package
The FS35R12W1T4 chip has a package type of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), a standard form of module, and its size is approximately 35mm x 45mm.
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