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FS25R12W1T4
Advanced N-channel IGBT module for precision power management in harsh environments
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: FS25R12W1T4
Datenblatt: FS25R12W1T4 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: Module
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.109 Stück, Neues Original
Produktart: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $32,246 | $32,246 |
| 200 | $12,480 | $2496,000 |
| 500 | $12,040 | $6020,000 |
| 1000 | $11,824 | $11824,000 |
Auf Lager: 8.109 Stck
FS25R12W1T4 Allgemeine Beschreibung
By incorporating insulated gate bipolar transistor (IGBT) technology, the FS25R12W1T4 delivers superior performance with high efficiency and fast switching speeds. Its built-in temperature sensor allows for precise monitoring and control of the module's temperature, ensuring optimal operation under varying conditions
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tray | Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop | Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Power - Max | 205 W | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 25A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA | Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.45 nF @ 25 V |
| Input | Standard | NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module | Supplier Device Package | Module |
| Base Product Number | FS25R12 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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FS25R12W1T4 is a chip from Infineon Technologies used in power electronic applications like inverters and motor drives. It is a 1200V IGBT module that combines the latest IGBT technology with a low-inductive 4th generation diode. The chip's design enables high system efficiency, low electromagnetic emissions, and robustness. It is highly reliable and suitable for various industrial applications demanding high power output.
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Equivalent
Some equivalent products of the FS25R12W1T4 chip are the SKM200GB128D, SKM195GB128D, and SKM195GAL12T4. -
Features
FS25R12W1T4 is an IGBT module with a compact design and high power density. It has a voltage rating of 1,200 V and a current rating of 25 A. The module features a low on-state voltage and low thermal resistance, ensuring efficient operation and reduced power loss. It is suitable for use in various applications such as motor control, inverters, and power supplies. -
Pinout
The FS25R12W1T4 is a power module with a pin count of 7. It is primarily used in applications requiring high power density such as industrial drives, renewable energy systems, and power supplies. -
Manufacturer
The manufacturer of the FS25R12W1T4 is Infineon Technologies AG. It is a German multinational semiconductor and system solutions company. -
Application Field
The FS25R12W1T4 is a power module designed for use in high-power applications such as industrial drives, solar inverters, and wind turbines. It offers a low-loss, high efficiency design, making it suitable for use in various power electronic systems. -
Package
The FS25R12W1T4 chip has a package type of IGBT module, a form of module, and a size of 80mm x 60mm x 17.8mm.
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