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FZT853TA
This product is a reliable and efficient choice for designers looking for a versatile bipolar transistor in a compact SOT-223-4 package
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: FZT853TA
Datenblatt: FZT853TA Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-223-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.760 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,352 | $0,352 |
| 10 | $0,309 | $3,090 |
| 30 | $0,289 | $8,670 |
| 100 | $0,267 | $26,700 |
| 500 | $0,255 | $127,500 |
| 1000 | $0,249 | $249,000 |
Auf Lager: 7.760 Stck
FZT853TA Allgemeine Beschreibung
This transistor's fast switching speed, low saturation voltage, and high current gain bandwidth product make it suitable for high-frequency applications, allowing for efficient and responsive performance in demanding electronic systems. Its hFE (DC Current Gain) of 40-400 further enhances its versatility, making it compatible with different circuit designs
Funktionen
- This is a high-power, high-gain silicon transistor
- Suitable for general-purpose switching and amplification
- Collector current of 1A with voltage rating of 30V
- Power dissipation of 1.25W maximum
Anwendung
- PNP Transistor for power management
- Perfect for audio amplifiers
- Industrial-grade reliability
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | Details |
| REACH | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 | Transistor Polarity | NPN |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 200 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 340 mV | Maximum DC Collector Current | 6 A |
| Pd - Power Dissipation | 3 W | Gain Bandwidth Product fT | 130 MHz |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | FZT853 | Brand | Diodes Incorporated |
| Continuous Collector Current | 6 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 at 10 A, 2 V |
| DC Current Gain hFE Max | 100 | Height | 1.65 mm |
| Length | 6.7 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | Transistors |
| Technology | Si | Width | 3.7 mm |
| Unit Weight | 0.003951 oz |
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