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$5000IDB10S60C
Described as a rectifier diode, the IDB10S60C product utilizes Schottky technology
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IDB10S60C
Datenblatt: IDB10S60C Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB
Produktart: Single Diodes
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.558 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IDB10S60C Allgemeine Beschreibung
Boasting a 10A current rating and a 600V reverse voltage rating, the IDB10S60C ensures reliable performance in demanding environments. Its single-phase, single-element configuration simplifies circuit design and integration, while its Silicon construction provides durability and ruggedness
Funktionen
- Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
- Switching behavior benchmark
- No reverse recovery/ No forward recovery
- No temperature influence on the switching behavior
- High surge current capability
- Pb-free lead plating; RoHs compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target applications
- Breakdown voltage tested at 5mA2)
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | CoolSiC™+ | Package | Tape & Reel (TR) |
Product Status | Obsolete | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | Current - Average Rectified (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 600 V |
Capacitance @ Vr, F | 480pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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