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$5000IDT08S60C
High-reliability power diode for demanding applications with high voltage and current rating
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IDT08S60C
Datenblatt: IDT08S60C Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-2
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.151 Stück, Neues Original
Produktart: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $8,345 | $8,345 |
196 | $3,331 | $652,876 |
490 | $3,218 | $1576,820 |
980 | $3,165 | $3101,700 |
Auf Lager: 9.151 Stck
IDT08S60C Allgemeine Beschreibung
With its 2-pin configuration, the IDT08S60C is easy to connect and integrate into existing systems, making it a versatile and cost-effective solution for various power management applications. Its silicon carbide material ensures high efficiency and low power dissipation, making it ideal for energy-conscious designs
Funktionen
- Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
- Switching behavior benchmark
- No reverse recovery/ No forward recovery
- No temperature influence on the switching behavior
- High surge current capability
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target applications
- Breakdown voltage tested at 5mA2)
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Bulk | Product Status | Active |
Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 600 V | Capacitance @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-220-2 |
Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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