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IDT10S60C
600V 10A Schottky Barrier Diodes
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IDT10S60C
Datenblatt: IDT10S60C Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-2
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.392 Stück, Neues Original
Produktart: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $10,382 | $10,382 |
| 200 | $4,144 | $828,800 |
| 500 | $4,005 | $2002,500 |
| 1000 | $3,937 | $3937,000 |
Auf Lager: 7.392 Stck
IDT10S60C Allgemeine Beschreibung
The IDT10S60C is designed to meet the demand for high-speed and high-temperature applications where traditional diodes fall short. Its SiC material provides better thermal conductivity and higher breakdown voltage, making it ideal for power supplies, motor drives, and renewable energy systems
Funktionen
- Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
- Switching behavior benchmark
- No reverse recovery/ No forward recovery
- No temperature influence on the switching behavior
- High surge current capability
- Pb-free lead plating; RoHs compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target applications
- Breakdown voltage tested at 5mA2)
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | thinQ!™ | Package | Bulk |
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | 480pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IDT10S60C chip is a power MOSFET specially designed for use in high-voltage applications. It features a low on-state resistance, fast switching speeds, and high voltage capability. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other high-power applications where efficiency and reliability are essential.
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Equivalent
The equivalent products of IDT10S60C chip are Infineon's IKW10N60C3, Renesas' RJP30E2DXD, and ON Semiconductor's NGTB10N60S1WG. These chips all have similar specifications and can be used as substitutes for the IDT10S60C in various applications. -
Features
IDT10S60C is a silicon carbide Schottky diode with a barrier junction. It has a high reverse voltage rating, low forward voltage drop, and fast switching times. It is designed for use in applications requiring high energy efficiency and reliability, such as power supplies, motor control, and inverters. -
Pinout
The IDT10S60C is a 60-pin synchronous SRAM with a density of 512K x 36. Its function is to provide high-speed data storage and retrieval with a synchronous interface for easy integration into digital systems. The pin count of the IDT10S60C is 60. -
Manufacturer
The manufacturer of the IDT10S60C is Integrated Device Technology (IDT), which is a semiconductor company that specializes in developing solutions for wireless infrastructure, cloud computing, automotive, and industrial applications. IDT focuses on providing high-performance, cost-effective products for diverse markets in the electronics industry. -
Application Field
The IDT10S60C is a high-speed, precision optocoupler that can be used in a variety of applications such as isolated power supplies, motor control, industrial automation, and automotive systems. It provides electrical isolation between input and output signals, making it ideal for applications where noise, voltage spikes, and ground loops may be present. -
Package
The IDT10S60C chip has a TO-220AB package type, a single form, and a size of 10A 600V.
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