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Infineon IDH03G65C5
Schottky Rectifier Diode 3A 650V TO-220 Tube
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IDH03G65C5
Datenblatt: IDH03G65C5 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-2
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.534 Stück, Neues Original
Produktart: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $2,795 | $2,795 |
| 10 | $2,655 | $26,550 |
| 30 | $2,570 | $77,100 |
| 100 | $2,361 | $236,100 |
| 500 | $2,322 | $1161,000 |
| 1000 | $2,305 | $2305,000 |
Auf Lager: 9.534 Stck
IDH03G65C5 Allgemeine Beschreibung
The latest CoolSiC™ Schottky diodes generation 5, designed for a maximum voltage of 600V and a current capacity of 2A, showcase Infineon's forefront position in SiC Schottky Barrier diode advancements. By refining the proprietary diffusion soldering technique previously employed in the G3 series and incorporating a more streamlined design and thinner wafer technology, Infineon has birthed a family of products that excel in efficiency under various load conditions, owing to improved thermal characteristics and a diminished figure of merit (Q c x V f)
Funktionen
- Vbr at 650V
- Improved Figure of Merit (Qc x Vf)
- No reverse recovery charge
- Soft switching reverse
- recovery waveform
- Temperature independent
- switching behavior
- High operating temperature
- (Tj max 175°C)
- Improved surge capability
- Pb-free lead plating
- 10 years manufacturing of SiC diodes
- Benefts
- Higher safety margin against
- Overvoltage; best match with
- CoolMOS™ 650V products
- Improved efciency over all
- load conditions
- Increased efciency compared to
- Silicon Diode alternatives
- Reduced EMI compared to snappier
- Silicon diode reverse recovery
- waveform
- Highly stable switching performance
- Reduced cooling requirements
- Reduced risks of thermal runaway
- RoHS compliant
- High quality know-how and capacity
- in SiC diode manufacture
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | Schottky Diodes & Rectifiers |
| RoHS | Details | Product | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-2 |
| Configuration | Single | Technology | SiC |
| If - Forward Current | 3 A | Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 650 V |
| Vf - Forward Voltage | 1.5 V | Ifsm - Forward Surge Current | 31 A |
| Ir - Reverse Current | 200 nA | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Tradename | CoolSiC |
| Brand | Infineon Technologies | Pd - Power Dissipation | 42 W |
| Product Type | Schottky Diodes & Rectifiers | Factory Pack Quantity | 500 |
| Subcategory | Diodes & Rectifiers | Vr - Reverse Voltage | 650 V |
| Part # Aliases | SP000925196 IDH03G65C5XKSA1 | Unit Weight | 0.211644 oz |
| Series | CoolSiC™+ | Package | Tube |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V | Capacitance @ Vr, F | 100pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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