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Infineon BSM50GB120DN2
200V V(BR)CES, 78A I(C), Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel
Marken: Infineon
Herstellerteil #: BSM50GB120DN2
Datenblatt: BSM50GB120DN2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: Half Bridge1
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.434 Stück, Neues Original
Produktart: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $176,949 | $176,949 |
| 200 | $68,478 | $13695,600 |
| 500 | $66,071 | $33035,500 |
| 1000 | $64,881 | $64881,000 |
Auf Lager: 8.434 Stck
BSM50GB120DN2 Allgemeine Beschreibung
The BSM50GB120DN2 IGBT module is a versatile dual module designed for high-power applications. With a collector-emitter voltage (Vces) of 1200V and a collector current rating of 78A, this module offers a reliable and efficient solution for various industrial and commercial applications. The module features a power dissipation (Pd) of 400W, ensuring stable and consistent performance under heavy loads. The module's low operating temperature range of -40°C to +125°C makes it suitable for use in extreme environments. The 7-pin module configuration and screw termination type make installation and integration easy and convenient. Additionally, the module's fast fall time (tf) and rise time of 100ns ensure quick and efficient switching, improving system performance and efficiency
Funktionen
- Low Saturation Inductance
- High Magnetic Field Strength
- Ambient Temperature: -20°C to 80°C
- Irradiance Level: 2000A/cm²
Anwendung
- Electric grid infrastructure
- Wind energy
- Motor control
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Half Bridge |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 78 A | Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA |
| Pd - Power Dissipation | 400 W | Package / Case | Half Bridge1 |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 30.5 mm |
| Length | 94 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si | Width | 34 mm |
| Part # Aliases | SP000095922 BSM50GB120DN2HOSA1 |
Versand
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