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Infineon BSC047N08NS3G
8A current capacity
Marken: Infineon
Herstellerteil #: BSC047N08NS3G
Datenblatt: BSC047N08NS3G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SuperSO8 5x6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3195 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,854 | $1,854 |
| 10 | $1,610 | $16,100 |
| 30 | $1,458 | $43,740 |
| 100 | $1,206 | $120,600 |
| 500 | $1,135 | $567,500 |
| 1000 | $1,105 | $1105,000 |
In Stock:3195 PCS
BSC047N08NS3G Allgemeine Beschreibung
The BSC047N08NS3 G is a N-channel power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. It is designed for use in a wide range of applications, including DC-DC converters, motor control, and power supplies. This MOSFET features a maximum continuous drain current of 47A and a maximum drain-source voltage of 80V. It has a low on-state resistance of 8mΩ, which helps to reduce power losses and improve efficiency in high-current applications. The BSC047N08NS3 G also has a gate threshold voltage of 2.5V and a gate charge of 58nC, making it easy to drive with standard digital logic circuits. It has a low input capacitance of 2850pF and a fast switching speed, which allows for efficient operation at high frequencies.This MOSFET is housed in a TO-263 package, which provides excellent thermal performance and reliable operation in demanding environments. It is also RoHS compliant, making it suitable for use in environmentally sensitive applications.
Funktionen
Anwendung
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 400.0 A | Ptot max | 125.0 W |
| VDS max | 80.0 V | Polarity | N |
| RDS (on) max | 4.7 mΩ | Package | SuperSO8 5x6 |
| ID max | 100.0 A | VGS(th) max | 3.5 V |
| VGS(th) min | 2.0 V | Operating Temperature max | 150.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den BSC047N08NS3G Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : IRFP4768PBF
Marken :
Paket : TO-247AC
Beschreibung : 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package
Artikelnummer : STP110N8F7
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung :
Artikelnummer : FDB047N08
Marken :
Paket :
Beschreibung : by Fairchild Semiconductor
Artikelnummer : SIHG47N60E-E3
Marken : Vishay
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IPP047N08N3
Marken :
Paket :
Beschreibung : G by Infineon Technologies
Teilpunkte
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The BSC047N08NS3G is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in high-power applications. It features low ON-resistance, high current rating, and fast switching speeds, making it ideal for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.
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Equivalent
Some equivalent products of BSC047N08NS3G chip are Infineon IPP047N08N5, Vishay SIHP47N08E-GE3, and Fairchild FCP47N08. These chips are all similar in specifications and can be used as alternatives in various applications. -
Features
1. N-channel 80V power MOSFET 2. Low on-resistance (4.7mΩ) 3. High current handling capability (90A) 4. Excellent thermal performance 5. Low gate charge for fast switching 6. Avalanche energy rated 7. Suitable for high power applications in automotive, industrial, and consumer electronics. -
Pinout
The BSC047N08NS3G is a 80V, 47A N-channel Power MOSFET with a D2PAK package. It has a pin count of 3 with the following functions: Pin 1 (Gate), Pin 2 (Source), and Pin 3 (Drain). -
Manufacturer
The BSC047N08NS3G is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company that specializes in power electronics, security solutions, and digital security technology. They provide semiconductor solutions for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC047N08NS3G is a power MOSFET transistor used in various applications such as motor control, power supplies, and automotive systems. It is commonly found in electric vehicles, industrial machinery, and other high-power electronic devices that require efficient and reliable switching capabilities. -
Package
The BSC047N08NS3G chip comes in a TO-252 package type with a surface-mount form. Its size measures 6.65mm x 6.15mm x 1.55mm.
Datenblatt PDF
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