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Infineon BSC060N10NS3G
Power transistor with N-channel MOSFET, capable of handling 100V voltage and 14.9A current in 8-pin TDSON EP package for automated assembly
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC060N10NS3G
Datenblatt: BSC060N10NS3G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SuperSO8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.686 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,534 | $1,534 |
| 10 | $1,325 | $13,250 |
| 30 | $1,193 | $35,790 |
| 100 | $1,059 | $105,900 |
| 500 | $0,998 | $499,000 |
| 1000 | $0,972 | $972,000 |
Auf Lager: 3.686 Stck
BSC060N10NS3G Allgemeine Beschreibung
N-Channel 100 V 14.9A (Ta), 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Funktionen
- N-channel enhancement mode
- Low on-state resistance of 6 mΩ (max) at 10V gate voltage
- High current capability of 120A (continuous drain current)
- Fast switching speed and low gate charge
- Avalanche rated for reliable operation in high-voltage applications
- RoHS compliant and halogen-free
Anwendung
- DC-DC converters and inverters
- Motor control circuits
- Power supplies and battery chargers
- LED lighting
- Audio amplifiers
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSC060N10NS3G | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 230 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 14.9 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.006 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 125 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 360 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A (Ta), 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den BSC060N10NS3G Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : STPSC1206D
Marken : STMicroelectronics
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : SIHF60N10
Marken : Vishay Siliconix
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : TK60N10
Marken : Toshiba Semiconductor
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRFS7734-7P
Marken : Infineon Technologies AG
Paket :
Beschreibung :
Teilpunkte
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BSC060N10NS3G is a power MOSFET transistor chip used for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters. It has a low on-resistance and high current carrying capacity, making it suitable for high-power applications.
-
Equivalent
The equivalent products of BSC060N10NS3G chip are Infineon IPP60R100CPXKSA1, Toshiba TK10A60W5, and ON Semiconductor NTD40N03R-1G. These chips are also power MOSFETs that can be used as substitutes for the BSC060N10NS3G in various applications. -
Features
The BSC060N10NS3G is a 100 V N-channel Power MOSFET designed for high efficiency and power density applications. It has a low RDS(on) of 6 mΩ, high-temperature operation up to 175°C, and is suitable for use in power supplies, motor control, and automotive applications. -
Pinout
The BSC060N10NS3G is a Power MOSFET with a pin count of 7. The functions of the pins are as follows: Pin 1 - Gate, Pin 2 - Source, Pin 3 - Drain, Pins 4 to 7 - Not connected. -
Manufacturer
The BSC060N10NS3G is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer that specializes in power electronics, chip card and security products, sensors and automotive electronics. They are a leading company in the field of integrated circuits and semiconductors, providing solutions for a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC060N10NS3G is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters. Its low on-state resistance, high switching speed, and low gate charge make it suitable for high-efficiency and high-power density designs in automotive, industrial, and consumer electronics. -
Package
The BSC060N10NS3G chip is available in a TO-220-3 package type. It comes in a through-hole form with dimensions of 10.4mm x 4.6mm x 9.45mm.
Datenblatt PDF
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