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Infineon BSC057N08NS3G 48HRS

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSC057N08NS3G

Datenblatt: BSC057N08NS3G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SuperSO8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.109 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,474 $1,474
10 $1,253 $12,530
30 $1,132 $33,960
100 $0,994 $99,400
500 $0,816 $408,000
1000 $0,787 $787,000

Auf Lager: 3.109 Stck

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BSC057N08NS3G Allgemeine Beschreibung

MOSFET OPTIMOS 3 POWER-TRANISTOR, 80 V Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Funktionen

  • Ultra fast switching
  • High voltage tolerance
  • Precise current control

Anwendung

  • Agricultural automation
  • Microgrid systems
  • DC motor control

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
IDpuls max 400.0 A Ptot max 114.0 W
VDS max 80.0 V Polarity N
RDS (on) max 5.7 mΩ Package SuperSO8 5x6
ID max 100.0 A VGS(th) max 3.5 V
VGS(th) min 2.0 V Operating Temperature max 150.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

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Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • BSC057N08NS3G is a power MOSFET chip designed for high-efficiency power conversion applications. Its low ON resistance and high current capability make it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications. This chip can handle high power levels and is designed for reliability and long-term performance.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSC057N08NS3G chip are Infineon IPP057N08N3G, Infineon IPI057N08N3G, ON Semiconductor NTMFS5H028N, ON Semiconductor NTMFS5H028N, and Nexperia BSS138F.
  • Features

    The BSC057N08NS3G is a N-channel power MOSFET with a drain-source voltage of 80V, a continuous drain current of 50A, and a low on-resistance of 5.7mΩ. It is suitable for automotive applications.
  • Pinout

    The BSC057N08NS3G is a Power MOSFET with a pin count of 3, consisting of a Gate (pin 1), Drain (pin 2), and Source (pin 3). It is commonly used in power management applications due to its high power handling capabilities and efficient performance.
  • Manufacturer

    The BSC057N08NS3G is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is known for producing a wide range of power and chip solutions for various applications including automotive, industrial, and consumer electronics. The company is considered a global leader in the field of power semiconductors and has a strong presence in the market.
  • Application Field

    The BSC057N08NS3G is a MOSFET transistor commonly used in high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters. It is suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics due to its high efficiency and low on-resistance.
  • Package

    The BSC057N08NS3G chip comes in a single D2PAK package type. It is in a surface-mount form and has a size of 10.3mm x 12.7mm x 4mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

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