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Infineon BSC022N03S
N-channel power MOSFET, rated for 30 volts and 28 amps, packaged in an 8-pin TDSON EP format."
Marken: Infineon
Herstellerteil #: BSC022N03S
Datenblatt: BSC022N03S Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-PowerTDFN
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3289 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMBSC022N03S Allgemeine Beschreibung
The BSC022N03S is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for applications in high-efficiency synchronous rectification in power supplies, motor control, and automotive systems. It features a low on-resistance (RDS(on)) of 2.5 mΩ, allowing for minimal power losses and high efficiency operation. This MOSFET is designed to handle a drain-source voltage (VDS) of up to 30V and a continuous drain current (ID) of 70A, making it suitable for a wide range of high-power applications. It also has a low gate charge (Qg) of 104nC, enabling fast switching speeds and reducing switching losses.The BSC022N03S is housed in a TO-220 package, which provides a high level of thermal conduction for efficient heat dissipation. It has a junction temperature rating of up to 175°C, ensuring reliable performance even in high-temperature environments.
Funktionen
- High power MOSFET
- Low on-resistance
- Enhanced efficiency
- Fast switching speeds
- Low gate charge
- Low input capacitance
- High power density
- TO-220 package type
Anwendung
- Automotive industry: used in electric power steering systems, engine control units, and battery management systems
- Industrial equipment: suitable for motor control, inverters, and power supplies
- Renewable energy: ideal for solar inverters, wind turbines, and grid-tied systems
- Consumer electronics: utilized in battery charging systems, DC-DC converters, and LED drivers
- Telecommunications: employed in power amplifiers, base station controllers, and DC power distribution
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Infineon |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den BSC022N03S Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : IRF1010EZ
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : STP80NF03L-08
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : FDB023N03L
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRLB3034PBF
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 75A
Artikelnummer : RFD3055LESM9A
Marken :
Paket : TO-252AA
Beschreibung : 11A, 60V, 0.107 OHm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel,MOSFET Power MOSFET
Teilpunkte
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BSC022N03S is a N-channel power MOSFET with a voltage rating of 30V and a maximum current rating of 80A. It is suitable for various applications such as power supplies, battery management systems, and motor control. This chip offers low on-resistance, high switching speed, and low gate charge, making it ideal for high-performance power electronics designs.
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Equivalent
The equivalent products of BSC022N03S chip are APT18N30AG, IRFB4110, and HUF76121P3. These are power MOSFETs with similar characteristics and specifications, making them suitable alternatives for various applications requiring high current and low on-resistance. -
Features
BSC022N03S is a N-channel power MOSFET with high current capacity, low on-resistance, and fast switching speeds. It has a voltage rating of 30V and a continuous drain current of 90A. This MOSFET is suitable for use in power management applications where high efficiency and reliability are required. -
Pinout
The BSC022N03S is a 8-pin Power-SO8 package MOSFET transistor. It is an N-channel enhancement mode field-effect transistor with a maximum drain-source voltage of 30V and a maximum continuous drain current of 25A. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSC022N03S is Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that specializes in power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon is a leading player in the technology industry, providing innovative solutions for automotive, industrial, and security applications worldwide. -
Application Field
The BSC022N03S is commonly used in applications such as automotive systems, motor control, power supplies, and DC/DC converters. It is well-suited for high-efficiency power management solutions due to its low on-state resistance and fast switching capabilities. -
Package
The BSC022N03S chip is a surface-mount package (SMD/SMT) with a single N-channel MOSFET transistor configuration. Its dimensions are 3.3mm x 3.3mm x 1.3mm (0.130" x 0.130" x 0.051").
Datenblatt PDF
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