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Infineon BSC070N10NS3G
N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC070N10NS3G
Datenblatt: BSC070N10NS3G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TDSON-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3027 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,981 | $0,981 |
| 10 | $0,858 | $8,580 |
| 30 | $0,743 | $22,290 |
| 100 | $0,656 | $65,600 |
| 500 | $0,620 | $310,000 |
| 1000 | $0,604 | $604,000 |
In Stock:3027 PCS
BSC070N10NS3G Allgemeine Beschreibung
N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSC070N10NS3G | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 160 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 92 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.007 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 21 pF |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N8 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 114 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 368 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC070N10NS3G is a power MOSFET transistor designed for high-power applications. It features a low on-resistance and low gate charge, making it efficient and reliable for use in various electronic devices and systems. The chip offers high performance and is suitable for applications requiring high current handling capabilities.
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Equivalent
The equivalent products of BSC070N10NS3G chip are Infineon IPT075N10N3G, ON Semiconductor NTMFS4C06N, and Toshiba TK31N60X. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
BSC070N10NS3G is a MOSFET transistor with a maximum continuous drain current of 100A, a voltage rating of 100V, and a low on-resistance of 7mΩ. It is designed for high power applications, with enhanced ruggedness and reliability. Additionally, it has a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The BSC070N10NS3G is a 700V, 10A N-channel power MOSFET with a TO-252 package. It has 3 pins: G (gate), D (drain), and S (source). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The BSC070N10NS3G is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and chip solutions for automotive, industrial, and consumer applications. They are known for producing innovative and high-quality semiconductor products for a wide range of industries worldwide. -
Application Field
The BSC070N10NS3G power transistor is commonly used in automotive, industrial, and consumer applications for power management and control. It is suitable for various voltage regulation, motor control, and power supply applications where high efficiency and reliability are required. -
Package
The BSC070N10NS3G chip comes in a TO-263-3 (D2PAK) package type. It is in a single form with a size of 10.3mm x 7.6mm x 4.6mm.
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