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$5000NXP MRFE6VS25GNR1
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Marken: Nxp
Herstellerteil #: MRFE6VS25GNR1
Datenblatt: MRFE6VS25GNR1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT1731-1
Produktart: RF FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MRFE6VS25GNR1 Allgemeine Beschreibung
Featuring a TO-270 packaging with 2 pins, the MRFE6VS25GNR1 is easy to integrate into existing circuit designs. It has a maximum operating temperature of 225°C, ensuring reliable performance even in demanding thermal environments. The transistor has a MSL (Moisture Sensitivity Level) rating of MSL 3, meaning it can withstand exposure to moisture for up to 168 hours without any degradation in performance
Funktionen
- Voltage range: 3.3-12 V
Anwendung
- Data transmission devices
- Power amplifier circuits
- Signal processing units
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| isExSample | true | orderingCode | 935314771528 |
| isDistributor | true | salesNum | MRFE6VS25GNR1 |
| leadTime | 12 | pack_type | REEL |
| exclusiveItemType | ITEM_TYPE_SAMPLE | price_flg | N |
| pack_desc | Reel 13" Q2/T3 in Drypack | minPackQty | 500 |
| status | Not Recommended for New Designs |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MRFE6VS25GNR1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in high-performance RF applications. It operates at a frequency range of 1.8-600 MHz, with an output power of up to 44 dBm. The chip features high gain and efficiency, making it ideal for applications such as RF power amplifiers in communication systems.
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Equivalent
The equivalent products of MRFE6VS25GNR1 chip are MRFE6VS25N and MRFE6VS25NR1, both featuring the same operating frequency range, output power, and other specifications as the original MRFE6VS25GNR1 chip. -
Features
The MRFE6VS25GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in HF and VHF applications. It features a high output power of 270W, high efficiency, and excellent linearity. It is designed for ruggedness and reliability in high-power amplifiers. -
Pinout
The MRFE6VS25GNR1 is a 1800W CW average power N-channel RF power Field Effect Transistor (FET) with a maximum frequency of 500 MHz. It has a 211-pin ceramic-metal seal package with five input and five output ports, as well as gate, drain, and source connections. -
Manufacturer
The manufacturer of MRFE6VS25GNR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch semiconductor manufacturer that produces a wide range of products including microcontrollers, connectivity solutions, RF components, and secure identification solutions. They specialize in providing technology solutions for industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and security. -
Application Field
The MRFE6VS25GNR1 is commonly used in industrial, scientific, and medical (ISM) applications such as plasma generation, MRI machines, and RF heating systems. It is also used in high-power linear amplifiers, radar systems, and radio transmitters for communication purposes. -
Package
The MRFE6VS25GNR1 chip is in a ceramic package with a flange. It is in the form of a surface-mount device. The chip size is 14.993mm x 11.73mm x 4.8mm.
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