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$5000C3M0065090J
High-performance MOSFET utilizing SiC, capable of handling 900 volts with a resistance of 65 milliohms
Marken: Wolfspeed, Inc.
Herstellerteil #: C3M0065090J
Datenblatt: C3M0065090J Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263-7
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.685 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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C3M0065090J Allgemeine Beschreibung
N-Channel 900 V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | Wolfspeed, Inc. |
| Series | C3M™ | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 15 V | Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 600 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The C3M0065090J is a silicon carbide MOSFET chip developed by Wolfspeed, a subsidiary of Cree Inc. It is designed for high power applications, offering low on-resistance, high switching capabilities, and high temperature durability. This chip is ideal for applications in electric vehicles, solar inverters, and power supplies where efficiency and reliability are key factors.
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Equivalent
The equivalent products of C3M0065090J chip are C3M0075120K, C3M0075120J, C3M0075120D, C3M0065090K, and C3M0065090D. -
Features
C3M0065090J is a silicon carbide power MOSFET with a voltage rating of 900V and a maximum current rating of 47A. It offers high switching speed, low on-state resistance, and high thermal performance, making it suitable for high power applications such as power supplies, electric vehicles, and renewable energy systems. -
Pinout
The C3M0065090J is a 90-pin high voltage, high current SiC MOSFET power module designed for use in power electronics applications. It provides low on-resistance, high switching performance, and high blocking voltage capability. -
Manufacturer
C3M0065090J is manufactured by Wolfspeed, a company that specializes in creating silicon carbide (SiC) power solutions. They are a leading provider of high-performance power semiconductor technology used in various industries such as automotive, energy, and telecommunications. Wolfspeed is known for their innovation in SiC materials and devices, making them a key player in the power electronics market. -
Application Field
C3M0065090J is a silicon carbide power MOSFET commonly used in high power applications such as automotive, industrial, and power supply systems. It is ideal for applications requiring high efficiency, high power density, and high switching frequencies. -
Package
The C3M0065090J chip is a surface-mount package type MOSFET with a TO-247-3 form. It has a size of 10mm x 15.6mm.
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