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IGW50N60H3
50A 600V 333W IGBT Transistors
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IGW50N60H3
Datenblatt: IGW50N60H3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.783 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IGW50N60H3 Allgemeine Beschreibung
The IGW50N60H3 is an advanced single TRENCHSTOP™ IGBT3 designed for high-speed applications with a voltage rating of 600V and a current rating of 50A. Housed in a TO247 package, this IGBT offers an optimal balance between switching and conduction losses, making it ideal for a wide range of power electronic systems. Its unique MOSFET-like turn-off switching behavior is the key feature of this product, resulting in significantly lower turn-off losses compared to traditional IGBTs. This makes it an excellent choice for applications requiring high efficiency and reliability
Funktionen
- Fast switching and high reliability
- High efficiency and low power consumption
- Advanced design for improved performance
- Silicon-based technology for reduced costs
- Wide operating range with stability
- Robust construction for harsh environments
Anwendung
- High efficiency power
- Sustainable energy solutions
- Versatile application usage
- Advanced technology integration
- Reliable performance output
- Cost-effective power solutions
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| IC max | 100.0 A | ICpuls max | 200.0 A |
| VCE max | 600.0 V | Switching Frequency max | 100.0 kHz |
| Switching Frequency min | 20.0 kHz | Package | TO-247 |
| Switching Frequency | HighSpeed3 20-100 kHz | Technology | IGBT HighSpeed 3 |
| Ptot max | 333.0 W |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IGW50N60H3 is a silicon-based Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chip designed for high power applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 50A. The chip features low switching losses, high efficiency, and is commonly used in applications such as motor drives, power supplies, and renewable energy systems.
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Equivalent
The equivalent products of IGW50N60H3 chip are IRG7PH42UD and IGBT60H3. They both have similar specifications and can be used as replacements for IGW50N60H3 in various applications. -
Features
Some features of IGW50N60H3 include: rated voltage of 600 V, continuous current rating of 50 A, high-speed switching capability, low on-state voltage drop, low gate charge, and advanced trench gate and field-stop technology for improved performance and efficiency in power electronics applications. -
Pinout
The IGW50N60H3 is a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module with a pin count of 4 pins. The functions of the pins are Gate (G), Collector (C), Emitter (E), and Collector-Emitter Voltage (Vce). -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IGW50N60H3. It is a German semiconductor manufacturer specializing in power management, connectivity, and sensors. Infineon provides innovative solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IGW50N60H3 is often used in industrial applications such as motor control, inverters, welding equipment, and power supplies. It is also commonly utilized in renewable energy systems, such as solar inverters and wind turbines, due to its high power handling capability and fast switching characteristics. -
Package
The IGW50N60H3 chip is in a module package type called IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 form. Its size is approximately 15.85mm x 23.85mm x 6.65mm (0.625" x 0.940" x 0.262").
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