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IGW75N60T
Insulated Gate Bipolar Transistor Chip, N-Channel, 600 Volts, 150 Amps, 428 Watts, TO-247 Package, Tube Packaging
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IGW75N60T
Datenblatt: IGW75N60T Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.925 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $8,144 | $8,144 |
| 10 | $7,759 | $77,590 |
| 30 | $7,526 | $225,780 |
| 100 | $7,330 | $733,000 |
Auf Lager: 7.925 Stck
IGW75N60T Allgemeine Beschreibung
Hard-switching 600 V, 75 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchStop® | Package | Tube |
| Product Status | Active | IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 428 W | Switching Energy | 4.5mJ |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 470 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/330ns | Test Condition | 400V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Base Product Number | IGW75N60 |
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|---|---|---|---|
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Teilpunkte
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The IGW75N60T is a high-power insulated-gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for applications requiring high efficiency and reliability. It features a high current rating of 75A and a voltage rating of 600V, making it suitable for use in power electronics, motor drives, and energy conversion systems. The chip's insulated gate structure provides improved performance and reliability compared to traditional bipolar transistors.
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Equivalent
The equivalent products of IGW75N60T chip are Infineon/IRGP4062DPbF, Fairchild/AOI75N60, TO-3P, and 650V, 120A, Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modules. These products have similar specifications and can be used as replacements for the IGW75N60T chip. -
Features
1. High voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) 2. Low on-state voltage drop for high efficiency 3. Low switching losses for improved performance 4. Fast switching speed for high frequency applications 5. Integrated anti-parallel diode for reliable operation 6. High surge current capability 7. 75A/600V rating for industrial applications. -
Pinout
The IGW75N60T is a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 package. It has 3 pins: Gate (G), Collector (C), and Emitter (E). The pinout is Gate (G) = pin 1, Collector (C) = pin 2, Emitter (E) = pin 3. -
Manufacturer
The manufacturer of the IGW75N60T is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon Technologies AG is a global leader in the semiconductor industry with a focus on technologies for automotive, industrial, and power management applications. -
Application Field
IGW75N60T is commonly used in applications such as induction heating, welding, and motor control due to its high voltage and current capabilities. It is also utilized in power supplies, inverters, and solar inverters for its efficient switching performance and low conduction losses. -
Package
The IGW75N60T chip comes in a TO-247 package type. It is in a standard form of a single insulated gate bipolar transistor (IGBT). The size of the chip is approximately 16.5mm x 21.5mm x 4.7mm.
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