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$5000Infineon IMW120R140M1H
Field-Effect Transistor for Power Applications: IMW120R140M1H
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IMW120R140M1H
Datenblatt: IMW120R140M1H Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.091 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $26,292 | $26,292 |
200 | $10,175 | $2035,000 |
500 | $9,817 | $4908,500 |
1000 | $9,641 | $9641,000 |
Auf Lager: 9.091 Stck
IMW120R140M1H Allgemeine Beschreibung
The IMW120R140M1H is a cutting-edge CoolSiC™ 1200 V, 140 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package, designed with a state-of-the-art trench semiconductor process to deliver unmatched performance and reliability. Unlike traditional silicon-based switches such as IGBTs and MOSFETs, this SiC MOSFET offers numerous advantages. It boasts the lowest gate charge and device capacitance levels in the 1200 V category, eliminates reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, and provides temperature-independent low switching losses. Additionally, it features a threshold-free on-state characteristic, setting it apart from its competitors
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
Technology | SiC | Brand | Infineon Technologies |
Product Type | MOSFET |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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