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$5000IPB019N08N3G
High-power switching device for demanding applications
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IPB019N08N3G
Datenblatt: IPB019N08N3G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263-7,D²Pak(6Leads+Tab)
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.897 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPB019N08N3G Allgemeine Beschreibung
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Funktionen
- Ideal for high frequency switching and sync. rec.
- Optimized technology for motor drive applications.
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Superior thermal resistance
- N-channel - Logic level
- 100% avalanche tested
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IPB019N08N3G chip is a power MOSFET transistor designed specifically for automotive applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power management functions, such as switch-mode power supplies and motor control. The chip's advanced technology enables efficient power handling and thermal performance, meeting the requirements of automotive systems.
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Features
The IPB019N08N3G is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power switch designed for automotive applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching performance. It also has a low gate charge and is capable of handling high-temperature environments, making it suitable for use in automotive powertrain, body, and safety systems. -
Pinout
The IPB019N08N3G is a power MOSFET transistor with a TO-263 (D2PAK) package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPB019N08N3G is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company that specializes in providing solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and power management. -
Application Field
The IPB019N08N3G is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and general-purpose switching. It is a low-voltage, N-channel power MOSFET with a high current handling capability, making it suitable for various electronic devices and equipment that require efficient power management and control. -
Package
The IPB019N08N3G chip is packaged in a power-FLAT5x6 package form. It has a size less than 6 mm x 5.5 mm.
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