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$5000IPA60R190C6
MOSFET with N-channel configuration, designed for automotive applications with a voltage rating of 600V and current handling capability of 20
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IPA60R190C6
Datenblatt: IPA60R190C6 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3FullPack
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.946 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPA60R190C6 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Funktionen
- Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | CoolMOS™ | Package | Tube |
| Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP | Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Base Product Number | IPA60R |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IPA60R190C6 chip is a power MOSFET transistor developed by Infineon Technologies. It is designed to handle high currents and voltages efficiently, making it suitable for applications such as power supplies, motor control, and electric vehicle systems. With low on-state resistance and fast switching capabilities, this chip offers high performance and reliability in various electronic circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the IPA60R190C6 chip are the IPA60R190CE6 and IPA60R190CFD7 chips. -
Features
The IPA60R190C6 is a power MOSFET transistor known for its low on-state resistance, providing efficient switching performance in power conversion applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 60A, making it suitable for high-power applications. With its advanced technology and compact design, it offers improved efficiency and reliability. -
Pinout
The pin count of the IPA60R190C6 is 4. It is a MOSFET power transistor that is commonly used in various electronic applications such as power supplies, motor drives, and inverters. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPA60R190C6. It is a German multinational semiconductor manufacturer. -
Application Field
Some possible application areas for the IPA60R190C6 MOSFET include power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers. -
Package
The IPA60R190C6 chip is a diode transistor in a TO-220 package. Its form is a through-hole mounting type with a size of approximately 10.54 x 4.57 x 15.88mm.
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