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FQA11N90
High-Power N-Channel MOSFET Transistor
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FQA11N90
Datenblatt: FQA11N90 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO3P-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.577 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $5,323 | $5,323 |
| 200 | $2,059 | $411,800 |
| 500 | $1,988 | $994,000 |
| 1000 | $1,953 | $1953,000 |
Auf Lager: 5.577 Stck
FQA11N90 Allgemeine Beschreibung
Introducing the FQA11N90: a powerhouse Power MOSFET equipped with a 900V voltage rating and a continuous drain current of 11A. Boasting a low on-resistance of 0.66 ohms, this transistor is designed for seamless power handling and reduced power losses in high-power applications such as power supplies, motor control, and inverters. Thanks to its advanced technology and robust materials, the FQA11N90 offers exceptional reliability and performance, making it a perfect fit for industrial settings with rigorous demands. Packaged in a TO-3P casing, this MOSFET offers excellent thermal properties and easy heat sink mounting. Additionally, its low gate charge, gate threshold voltage, and fast switching speed contribute to simplified driving and control, while enhancing efficiency and performance in high-frequency applications
Funktionen
- High power handling
- Fast switching performance
- Low input capacitance
Anwendung
- Powering devices
- Inverter systems
- Energy solutions
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-3PN-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Id - Continuous Drain Current | 11.4 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 960 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 90 ns |
| Forward Transconductance - Min | 12 S | Height | 20.1 mm |
| Length | 16.2 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 135 ns | Factory Pack Quantity | 450 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 165 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 65 ns | Width | 5 mm |
| Part # Aliases | FQA11N90_NL |
Versand
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|---|---|---|---|
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