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$5000Infineon IRF5210SPBF
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRF5210SPBF
Datenblatt: IRF5210SPBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF5210SPBF Allgemeine Beschreibung
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Funktionen
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance 150°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Some Parameters are Different from IRF5210S/L P-Channel Lead-Free
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 3.8 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 55 ns | Height: | 2.3 mm |
| Length: | 6.5 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 63 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | Width: | 6.22 mm |
| Part # Aliases: | SP001570130 |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRF5210SPBF is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications. It features a low on-state resistance, high current capability, and fast switching speeds. This chip is commonly used in power supply, motor control, and other high-power applications due to its reliable performance and efficiency.
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Equivalent
Some equivalent products of the IRF5210SPBF chip are IRF5210PBF, IRF530N, IRF540N, and IRF9310. -
Features
- Enhancement mode power MOSFET - 100V drain-source voltage rating - 33A continuous drain current - Low on-state resistance - Suitable for high power applications such as motor control and power supplies - SIP package with gull-wing leads for surface mounting -
Pinout
IRF5210SPBF is a Power MOSFET with a TO-263 package, having a pin count of 3 (Gate, Drain, Source). It is used for high-performance power switching applications due to its low on-state resistance. -
Manufacturer
IRF5210SPBF is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer. They specialize in producing a wide range of semiconductor solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. Infineon is a leading global supplier of power semiconductors, offering high-quality products for various industries and markets. -
Application Field
IRF5210SPBF is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems to switch high current loads efficiently. It is also used in solar inverters, voltage regulators, and battery chargers for stable and reliable performance. -
Package
The IRF5210SPBF chip is a TO-262 package type with a through hole mounting form. It has a size of 10.16mm x 12.70mm x 4.57mm (0.400" x 0.500" x 0.180").
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