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Infineon SGW15N60
High-performance IGBT transistors for power applications
Marken: Infineon
Herstellerteil #: SGW15N60
Datenblatt: SGW15N60 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: IGBT Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMSGW15N60 Allgemeine Beschreibung
IGBT NPT 600 V 31 A 139 W Through Hole PG-TO247-3-1
Funktionen
- Short circuit rated 10us @ TC = 100°C, VGE = 15V
- High speed switching
- Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 15A
- High input impedance
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | SGW15N60 | Brand | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current Ic Max | 31 A | Height | 20.95 mm |
| Length | 15.9 mm | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 240 | Subcategory | IGBTs |
| Width | 5.3 mm | Part # Aliases | SP000012465 SGW15N60FKSA1 |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
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|---|---|---|
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SGW15N60 is a silicon transistor chip used for power switching applications in electronic devices. It operates with a voltage rating of 600V and a current rating of 15A. The chip is commonly used in high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its compact size and high efficiency make it a popular choice for a wide range of electronic projects.
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Equivalent
Some equivalent products of the SGW15N60 chip are IRG4BC30UD, IKW15N60T, and IRG4BC30KD. These products are all insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with similar specifications and characteristics to the SGW15N60 chip. -
Features
1. N-channel IGBT with anti-parallel diode 2. Current rating of 15A 3. Maximum voltage rating of 600V 4. Low conduction and switching losses 5. High ruggedness and reliability for industrial applications 6. TO-247 package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The SGW15N60 is a MOSFET transistor with a TO-247 package, consisting of 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is used for high power applications due to its low on-resistance. The Gate pin is used to control the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the SGW15N60 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets a range of semiconductor products including discrete and integrated circuits for a variety of applications in automotive, industrial, consumer, and communication markets. -
Application Field
The SGW15N60 is a silicon carbide power MOSFET designed for high-frequency, high-power applications in industries such as power supplies, motor drives, and renewable energy systems. It offers low conduction and switching losses, high current ratings, and high temperature operation making it ideal for high-performance and energy-efficient power electronics applications. -
Package
The SGW15N60 chip is a TO-247 package type with a form of through-hole mounting. It has a size of 15.87mm x 8.7mm x 4.67mm.
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