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Infineon BSC123N08NS3G
Low on-resistance of 0.0123 ohms
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC123N08NS3G
Datenblatt: BSC123N08NS3G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SuperSO8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.313 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,457 | $1,457 |
| 10 | $1,137 | $11,370 |
| 30 | $0,938 | $28,140 |
| 100 | $0,732 | $73,200 |
| 500 | $0,478 | $239,000 |
| 1000 | $0,437 | $437,000 |
Auf Lager: 3.313 Stck
BSC123N08NS3G Allgemeine Beschreibung
N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSC123N08NS3G | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 70 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 80 V |
| Drain Current-Max (ID) | 55 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0123 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 66 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 220 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 55A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1870 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 66W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC123N08NS3G is a power MOSFET chip designed for efficient switching applications. It has a low on-resistance and high current-carrying capacity, making it suitable for various power electronics applications. The chip's features include a ruggedized design, low gate charge, and fast switching speed, enabling improved system performance and energy efficiency. Overall, the BSC123N08NS3G chip offers reliable and high-performance power management solutions.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the BSC123N08NS3G chip. However, you may consider looking for similar power MOSFETs from other manufacturers like Infineon, ON Semiconductor, or STMicroelectronics to meet your requirements. -
Features
The features of BSC123N08NS3G include a 1200V breakdown voltage, a low on-resistance of 123mΩ, a maximum drain current of 60A, and a gate charge of 110nC. -
Pinout
The BSC123N08NS3G is a power MOSFET with a TO-263 package. It has 3 pins: a gate pin for controlling the MOSFET's conductivity, a drain pin for outputting the current, and a source pin for inputting the current. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSC123N08NS3G is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer that produces and sells a wide range of components and systems used in various industries, including automotive, power and industrial electronics, and mobile devices. -
Application Field
The BSC123N08NS3G is a power transistor that can be used in various application areas, such as power management in industrial automation, consumer electronics, and telecommunications. It can also be used in motor control, DC-DC converters, and load switch applications. -
Package
The BSC123N08NS3G chip has a package type of D2PAK, a form of TO-263, and a size of 10.4mm x 14.0mm x 4.7mm.
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