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Infineon IPB180P04P4L02ATMA1

Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IPB180P04P4L02ATMA1

Datenblatt: IPB180P04P4L02ATMA1 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-263-7

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPB180P04P4L02ATMA1 Allgemeine Beschreibung

The IPB180P04P4L02ATMA1 power MOSFET transistor is a top-of-the-line component that boasts impressive specifications for high efficiency power management applications. With a 40V drain-source voltage rating, a continuous drain current of 180A, and an ultra-low on-resistance of 1.4mOhms, this transistor delivers exceptional performance in demanding scenarios. Its TO-263-7 package design allows for efficient heat dissipation, ensuring reliable operation even under heavy loads. Whether used in synchronous rectification, motor control, or battery management, the IPB180P04P4L02ATMA1 excels in a variety of high-power applications across industries such as automotive, industrial, and telecommunications

Funktionen

  • Fast switching times
  • Compact package design
  • High frequency performance
    • Suitable for DC-DC converters
    • Economical solution
    • Wide operating temperature range

    Anwendung

    • Used in various industries
    • Essential for power management
    • Vital for power control circuits
    • Key component in electric vehicles
    • Crucial for renewable energy systems
    • Important for communication systems

    Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
    RoHS: Details Technology: Si
    Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-263-7
    Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Id - Continuous Drain Current: 180 A
    Rds On - Drain-Source Resistance: 2.4 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V, + 5 V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V Qg - Gate Charge: 286 nC
    Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
    Pd - Power Dissipation: 150 W Channel Mode: Enhancement
    Qualification: AEC-Q101 Series: XPB180P04
    Packaging: MouseReel Brand: Infineon Technologies
    Configuration: Single Fall Time: 119 ns
    Height: 4.4 mm Length: 10 mm
    Product Type: MOSFET Rise Time: 28 ns
    Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: MOSFETs
    Transistor Type: 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 146 ns
    Typical Turn-On Delay Time: 32 ns Width: 9.25 mm
    Part # Aliases: IPB180P04P4L-02 SP000709460

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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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