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Infineon IPP65R125C7
TO-220 packaged N-channel MOSFET rated for 650 volts
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IPP65R125C7
Datenblatt: IPP65R125C7 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.348 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $4,472 | $4,472 |
| 10 | $3,905 | $39,050 |
| 30 | $3,568 | $107,040 |
| 100 | $3,229 | $322,900 |
| 500 | $3,071 | $1535,500 |
| 1000 | $3,000 | $3000,000 |
Auf Lager: 8.348 Stck
IPP65R125C7 Allgemeine Beschreibung
When it comes to high efficiency and performance in electronic applications, the IPP65R125C7 power MOSFET transistor is second to none. With a voltage rating of 650V and a current rating of 125A, this transistor is well-suited for high power circuits such as motor drives, power supplies, and inverters. Its low on-resistance of 0.08 ohms ensures efficient power conversion with minimal losses, while its C7 CoolMOS technology allows for improved switching performance and thermal management. Furthermore, its high avalanche capability makes it robust and reliable under heavy load conditions. The TO-220 package design of the IPP65R125C7 adds to its appeal, providing easy mounting and integration into existing electronic systems for a wide range of power applications
Funktionen
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
- Easy to use/drive
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
- (J-STD20 and JESD22)
- Pb-free plating, Halogen free mold compound
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 111 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 35 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 101 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | CoolMOS | Series | CoolMOS C7 |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 8 ns | Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 15 ns | Factory Pack Quantity | 500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 71 ns | Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Width | 4.4 mm | Part # Aliases | SP001080132 IPP65R125C7XKSA1 |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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