Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000Infineon IPT039N15N5ATMA1
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IPT039N15N5ATMA1
Datenblatt: IPT039N15N5ATMA1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-HSOF-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.246 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
IPT039N15N5ATMA1 Allgemeine Beschreibung
The IPT039N15N5ATMA1 MOSFET transistor sets a new standard for high-power applications in automotive and industrial systems. With a robust drain-source voltage rating of 150V and a continuous drain current capacity of 39A, this transistor is ready to take on the toughest challenges in the field. Its wide temperature range operation ensures reliability in harsh environments, making it a versatile choice for a variety of applications
Funktionen
- Achieve high performance
- Enhance your design
- Improved efficiency guaranteed
- Simplify your circuitry
- Premium components included
- Outstanding reliability ensured
Anwendung
- Green energy solutions
- Backup power source
- Smart charging systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The IPT039N15N5ATMA1 is a power MOSFET chip designed for use in automotive applications. It features a low on-resistance, high thermal performance, and enhanced avalanche energy capability. This chip is suitable for power management and motor control in automotive systems.
-
Equivalent
The equivalent products of the IPT039N15N5ATMA1 chip are FDC633N, PSMN3R8-30LL, and SiHP033N60E. These products are Power MOSFETs with similar specifications and features, providing comparable performance in various applications. -
Features
IPT039N15N5ATMA1 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 150V, a continuous drain current of 40A, and a low on-resistance of 39mOhm. It is designed for high power applications and features a TO-220 package with advanced technology for improved thermal performance and reliability. -
Pinout
IPT039N15N5ATMA1 is a power MOSFET transistor with a TO-220 package. It has three pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
IPT039N15N5ATMA1 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, sensors, and integrated circuits for automotive, industrial, and consumer electronics applications. They focus on producing innovative and sustainable solutions to meet the evolving demands of the technology industry. -
Application Field
IPT039N15N5ATMA1 is a low-voltage power MOSFET mainly used in applications such as power management, battery protection, motor control, and lighting. It is commonly found in consumer electronics, automotive applications, industrial equipment, and home appliances where efficient power switching and control are required. -
Package
The IPT039N15N5ATMA1 chip is in a TO-220 package type with a standard form and size of 10.4mm x 15.6mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
