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$5000IRF200P222
Advanced semiconductor component for industrial automation syste
Marken: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Herstellerteil #: IRF200P222
Datenblatt: IRF200P222 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.107 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $5,565 | $5,565 |
10 | $4,891 | $48,910 |
25 | $4,269 | $106,725 |
100 | $3,924 | $392,400 |
Auf Lager: 7.107 Stck
IRF200P222 Allgemeine Beschreibung
Discover the Infineon IRF200P222, a robust N-Channel Mosfet capable of handling a maximum drain source voltage of 200V and a continuous drain current of 182A. With a maximum threshold voltage of 4V and a test voltage of 10V for Rds(On), this Mosfet is designed for high-performance applications. Its through-hole mounting ensures easy integration into electronic systems, and with a maximum temperature rating of 175°C, it can operate in harsh environments. Furthermore, this product is RoHS compliant, demonstrating its commitment to environmental responsibility
Funktionen
- Static drain-source on-resistance:
- RDS(on)≤11.5mΩ
- Enhancement mode:
- Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=270μ A)
- 100% avalanche tested
- Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
- performance and reliable operation
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 1070 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 200 V | Drain Current-Max (ID) | 182 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0066 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-247AC | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 728 A | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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