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$5000IRF7301PBF
IRF7301PBF from Infineon: An 8-Pin SOIC-packaged Dual N-Channel MOSFET capable of handling 5.2 A and 20 V
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IRF7301PBF
Datenblatt: IRF7301PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-SOIC
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.676 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF7301PBF Allgemeine Beschreibung
Constructed using Silicon Metal-oxide Semiconductor technology, this MOSFET offers excellent switching speeds and thermal performance, making it an ideal choice for power switching applications. The MS-012AA package ensures easy integration into circuit designs
Funktionen
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | HEXFET® | Package | Tube |
Product Status | Discontinued at Digi-Key | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.6A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Power - Max | 2W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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