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IRF7301PBF

IRF7301PBF from Infineon: An 8-Pin SOIC-packaged Dual N-Channel MOSFET capable of handling 5.2 A and 20 V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies

Herstellerteil #: IRF7301PBF

Datenblatt: IRF7301PBF Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: 8-SOIC

Produktart: FET, MOSFET Arrays

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5.676 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF7301PBF Allgemeine Beschreibung

Constructed using Silicon Metal-oxide Semiconductor technology, this MOSFET offers excellent switching speeds and thermal performance, making it an ideal choice for power switching applications. The MS-012AA package ensures easy integration into circuit designs

Funktionen

The IRF6645PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.The IRF6645PbF is optimized for primary side bridge topologies in isolated DC-DC applications, for wide range universal input Telecom applications (36V - 75V), and for secondary side synchronous rectification in regulated DC-DC topologies. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance isolated DC-DC converters. Features:
  • RoHS Compliant
  • Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
  • Application Specific MOSFETs
  • Ideal for High Performance Isolated Converter
  • Primary Switch Socket
  • Optimized for Synchronous Rectification
  • Low Conduction Losses
  • High Cdv/dt Immunity
  • Low Profile (<0.7mm)
  • Dual Sided Cooling Compatible
  • Compatible with existing Surface Mount Techniques
  • Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Series HEXFET® Package Tube
    Product Status Discontinued at Digi-Key Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Dual) FET Feature Logic Level Gate
    Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V
    Power - Max 2W Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Supplier Device Package 8-SO

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