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$5000IRF7555
Silicon Metal-oxide Semiconductor FET
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Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IRF7555
Datenblatt: IRF7555 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-TSSOP
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.794 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF7555 Allgemeine Beschreibung
The IRF7555 utilizes silicon as its semiconductor material, offering excellent performance and reliability. In addition, it features a metal-oxide semiconductor (MOS) structure, which further enhances its electrical characteristics. The transistor comes in a MICRO-8 package, providing a compact form factor suitable for space-constrained applications
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Cut Tape (CT) | Product Status | Obsolete |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1066pF @ 10V | Power - Max | 1.25W |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Supplier Device Package | Micro8™ |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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