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$5000IRF9953
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRF9953
Datenblatt: IRF9953 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SO-8
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.083 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF9953 Allgemeine Beschreibung
When it comes to ease of design, the IRF9953 doesn't disappoint. Available in both surface mount and through-hole packages, these devices feature industry-standard footprints that make integration seamless. This means less time spent on design and more time focusing on your project's core requirements. Whether you're a seasoned professional or a novice in the field, the IRF9953 offers a user-friendly experience that simplifies the design process
Funktionen
- Robust electromagnetic immunity
- Wide operating frequency
- Low noise output
- Compact packaging design
Anwendung
- LED lighting circuits
- Battery charging systems
- DC-DC converters
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Polarity | P+P | Tj max | 150.0 °C |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Package | SO-8 |
| Ptot max | 2.0 W | RthJA max | 62.5 K/W |
| VDS max | -30.0 V | VGS max | 20.0 V |
| RDS (on) max | 400.0 mΩ | VGS(th) min | -1.0 V |
| ID max | -2.3 A |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
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![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
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![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
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![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
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![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRF9953 is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications. It has a low on-state resistance and is capable of handling high current loads. This chip is commonly used in power supply circuits, motor control applications, and other electronic devices requiring efficient power management.
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Equivalent
Some equivalent products to the IRF9953 chip are the IRF9953N, IRF9953PbF, and IRF9954 chips. These chips are all power MOSFETs designed for switching applications in power supplies, motor control, and other power electronics systems. They have similar specifications and performance characteristics to the IRF9953 chip. -
Features
The IRF9953 is a N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It has a low on-resistance, high drain current capability, and high input impedance. It also has a low gate charge, making it suitable for efficient power management solutions in a variety of electronic devices. -
Pinout
The IRF9953 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 is the gate of the first MOSFET, pin 2 is the source of the first MOSFET, pin 3 is the drain of the first MOSFET, pin 4 is the source of the second MOSFET, pin 5 is the gate of the second MOSFET, and pins 6, 7, and 8 are the drain of the second MOSFET. -
Manufacturer
The IRF9953 is manufactured by International Rectifier, which is a company that specializes in producing power management technology and electronics components. They are known for their high-performance power MOSFETs, IGBTs, and other power semiconductor devices used in a variety of applications such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IRF9953 is commonly used in automotive applications such as DC motor control, lighting systems, and power management. It is also used in industrial automation for controlling solenoids, relays, and other high-power devices. Additionally, it finds applications in consumer electronics for power supply management and LED driver circuits. -
Package
The IRF9953 chip is packaged in a DFN (Dual Flat No-Lead) form with a size of 3mm x 3mm. It is a surface-mounted device commonly used in power management applications.
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