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Infineon IRFB4321PBF
Featuring N-channel technology, the IRFB4321PBF MOSFET can manage voltages up to 150V and currents up to 85A, enclosed in a TO-220AB casing
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRFB4321PBF
Datenblatt: IRFB4321PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.871 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,921 | $1,921 |
| 10 | $1,670 | $16,700 |
| 50 | $1,342 | $67,100 |
| 100 | $1,182 | $118,200 |
| 600 | $1,109 | $665,400 |
| 900 | $1,206 | $1085,400 |
Auf Lager: 8.871 Stck
IRFB4321PBF Allgemeine Beschreibung
The IRFB4321PBF is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for a wide range of applications. With a maximum current rating of 75A and a voltage rating of 150V, this N-Channel MOSFET is capable of handling high power loads with ease. The low on-resistance of 0.015ohm ensures minimal power loss and efficient operation. The TO-220AB package with lead-free, plastic construction offers excellent thermal performance and reliability. Whether used in power supplies, motor controls, or DC-DC converters, the IRFB4321PBF delivers outstanding performance and durability
Funktionen
- Ruggedized against voltage transients
- Compact surface mount package
- Thermal shutdown protection
Anwendung
- Industrial power systems
- Electronic motor drives
- Smart grid solutions
- Renewable energy applications
- High efficiency converters
- Power management circuits
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V | Id - Continuous Drain Current | 83 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V | Qg - Gate Charge | 71 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 330 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Height | 15.65 mm | Length | 10 mm |
| Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Width | 4.4 mm |
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