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IRFBF30PBF
00V 3.6A 3.7Ω@2.2A 10V 125W 4V@250uA null TO-220AB-3 MOSFETs ROHS
Marken: Vishay Siliconix
Herstellerteil #: IRFBF30PBF
Datenblatt: IRFBF30PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.665 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,207 | $1,207 |
| 10 | $1,100 | $11,000 |
| 50 | $1,032 | $51,600 |
| 100 | $0,964 | $96,400 |
| 500 | $0,933 | $466,500 |
| 1000 | $0,919 | $919,000 |
Auf Lager: 8.665 Stck
IRFBF30PBF Allgemeine Beschreibung
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Funktionen
- Safe operating range
- Efficient thermal management
- Precision manufacturing process
- Robust mechanical construction
- Wide temperature range
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 2.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRFBF30PBF chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for various high-performance applications. It operates at a high voltage and current levels, providing efficient power switching and control. With its low on-resistance and fast switching capabilities, this chip offers improved performance and reliability in electronic systems that require power amplification, motor control, and other high-power applications.
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Equivalent
Some equivalent products to the IRFBF30PBF chip include the IRF3704ZPBF, IRFBF30, IRFBF20, and IRFBF40PBF. -
Features
The IRFBF30PBF is a power MOSFET with a voltage rating of 600V and a current rating of 195A. It is designed for high voltage applications where high performance and reliability are crucial. It features low on-resistance, fast switching speed, and a compact and thermally efficient package for enhanced power efficiency. -
Pinout
The IRFBF30PBF is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a TO-220AB package. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin is used for controlling the flow of current between the Drain and Source, allowing it to function as a switch or amplifier in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRFBF30PBF is International Rectifier. It is a semiconductor company specializing in power management technology, primarily producing power MOSFETs, IGBTs, and other high-performance electronic components for various industries such as automotive, aerospace, and consumer electronics. -
Application Field
The IRFBF30PBF is a power MOSFET commonly used in switch mode power supplies, motor control, and other applications requiring high voltage and current handling capabilities. It is suitable for use in various industrial and consumer electronics where efficient power conversion and control is needed. -
Package
The IRFBF30PBF chip is packaged in a TO-220AB form and has a compact size.
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