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vishay IRFD220PBF

N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: IRFD220PBF

Datenblatt: IRFD220PBF Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: DIP-4

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRFD220PBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Funktionen

  • Efficient conversion rate
  • Low standby power
  • High efficiency rating
  • Silicon carbide technology

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: DIP-4
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Id - Continuous Drain Current: 800 mA
Rds On - Drain-Source Resistance: 800 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 14 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 1.3 W Channel Mode: Enhancement
Series: IRFD Packaging: Tube
Brand: Vishay Semiconductors Configuration: Single
Fall Time: 13 ns Forward Transconductance - Min: 0.6 S
Product Type: MOSFET Rise Time: 22 ns
Factory Pack Quantity: 2500 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 19 ns
Typical Turn-On Delay Time: 7.2 ns

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRFD220PBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for applications requiring high power and efficiency. It features a low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for use in power supplies, motor control, and electronic circuits that require high switching frequency. This chip is manufactured by Infineon Technologies.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IRFD220PBF chip are IRFD110, IRFD120, IRFD210, and IRFD220. These chips are all power MOSFET transistors with similar specifications and characteristics.
  • Features

    1. N-channel power MOSFET 2. Can handle continuous drain current of 4.8A 3. Low RDS(on) for efficient power delivery 4. Fast switching speed for improved performance 5. Suitable for a wide range of applications including motor control, power supplies, and LED lighting circuits.
  • Pinout

    IRFD220PBF is a MOSFET transistor with 3 pins: gate, drain, and source. It is commonly used in switching applications due to its high output drive capability and low on-state resistance. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins.
  • Manufacturer

    The manufacturer of IRFD220PBF is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is a global company specializing in the design and manufacture of major electronic components, including discrete semiconductors, passive components, and sensors. They serve a wide range of industries such as automotive, industrial, communications, and consumer electronics.
  • Application Field

    IRFD220PBF is a small signal MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, LED lighting, and switching circuits. It is also suitable for use in audio amplifiers and voltage regulation systems due to its high voltage capacity and low on-resistance.
  • Package

    The IRFD220PBF is a surface mount transistor packaged in a DPAK (TO-252) form. It has a size of 6.6mm x 9.05mm x 2.5mm.

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