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vishay IRFPG50PBF
N-Channel 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Marken: Vishay
Herstellerteil #: IRFPG50PBF
Datenblatt: IRFPG50PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247AC
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.915 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,794 | $1,794 |
| 10 | $1,616 | $16,160 |
| 30 | $1,506 | $45,180 |
| 100 | $1,391 | $139,100 |
| 500 | $1,341 | $670,500 |
| 1000 | $1,319 | $1319,000 |
Auf Lager: 8.915 Stck
IRFPG50PBF Allgemeine Beschreibung
The IRFPG50PBF is a powerful and efficient Power Field-Effect Transistor designed for high-performance applications. With a maximum drain current of 6.1A and a voltage rating of 1000V, this N-Channel MOSFET offers reliable and stable operation in demanding circuit designs. The low on-state resistance of 2ohm ensures minimal power loss and heat generation, making it ideal for power electronics and industrial systems
Funktionen
- Isolated mounting design
- Rugged construction
- High surge immunity
- Fast response time
- Low thermal resistance
- Good reliability
Anwendung
- Industrial
- Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Vishay | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1 kV |
| Id - Continuous Drain Current | 6.1 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 190 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 190 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | IRFPG |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 36 ns | Forward Transconductance - Min | 5.4 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 35 ns |
| Factory Pack Quantity | 500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
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