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IRFR120PBF
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Herstellerteil #: IRFR120PBF
Datenblatt: IRFR120PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D-PAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.285 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,649 | $0,649 |
10 | $0,538 | $5,380 |
30 | $0,481 | $14,430 |
75 | $0,407 | $30,525 |
525 | $0,374 | $196,350 |
975 | $0,357 | $348,075 |
Auf Lager: 9.285 Stck
IRFR120PBF Allgemeine Beschreibung
The IRFR120PBF is a powerful N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (FET) with a maximum I(D) of 7.7A and a voltage rating of 100V. This TO-252AA packaged device features a low on-resistance of 0.27ohm, making it suitable for a wide range of applications that require efficient power delivery. The transistor is designed with a single element and is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (ROHS) directive, ensuring its environmental friendliness. The DPAK-3 pin configuration provides easy and secure mounting to a printed circuit board (PCB) or heatsink, making installation hassle-free. Whether used in consumer electronics, industrial machinery, or automotive systems, the IRFR120PBF offers reliable performance and consistent operation
Funktionen
- Fast turn-off capabilities
- Low voltage drop
- Robust electrical performance
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
Part Package Code | TO-252AA | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 63 Weeks |
Samacsys Manufacturer | Vishay | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 210 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8.4 A | Drain Current-Max (ID) | 7.7 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.27 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 34 pF | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 42 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 31 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRFR120PBF is a power MOSFET transistor designed for use in various electronic applications. It has a low on-resistance, high switching speed, and can handle high currents and voltages. This chip is commonly used in power supply systems, motor control, and amplifiers.
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Equivalent
The equivalent products of IRFR120PBF chip are IRFR120N, IRFR120A, and IRFR120B. These are all N-channel Power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics to the IRFR120PBF. -
Features
Some features of IRFR120PBF include a low on-state resistance, high current handling capability, low gate charge, and fast switching speeds. It is suitable for use in a variety of applications, such as power supplies, motor control, and automotive systems. -
Pinout
The IRFR120PBF is a power MOSFET with 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of electrical current between the drain and source pins. This MOSFET has a TO-252 package with a standard pinout configuration. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRFR120PBF is International Rectifier, LLC. They are a semiconductor company specializing in power management technology for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. International Rectifier is a global leader in designing and manufacturing power MOSFETs, IGBTs, and other power semiconductor devices. -
Application Field
The IRFR120PBF is commonly used in applications such as power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers due to its high current capacity and low on-resistance. It is ideal for high-speed switching applications where efficient power handling is required. -
Package
The IRFR120PBF chip comes in a TO-252 package type, with a form of surface mount and a size of 6.5mm x 9.7mm x 4mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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