Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

IRFR4615PBF 48HRS

Power MOSFET designed for high efficiency applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Herstellerteil #: IRFR4615PBF

Datenblatt: IRFR4615PBF Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: D-PAK

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.899 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,601 $0,601
200 $0,233 $46,600
500 $0,225 $112,500
1000 $0,220 $220,000

Auf Lager: 9.899 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für IRFR4615PBF oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

IRFR4615PBF Allgemeine Beschreibung

The IRFR4615PBF is a powerful and efficient N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications. With a maximum drain current of 33A and a voltage rating of 150V, this transistor offers reliable performance in demanding conditions. The low on-state resistance of 0.042ohm minimizes power loss and maximizes efficiency, while the TO-252AA package provides a convenient and compact mounting solution. With RoHS compliance, this transistor is a sustainable choice for modern electronics designs

Funktionen

  • Dynamic dV/dt rating
  • Repetitive avalanche rated
  • Surface mount (IRFR420, SiHFR420)
  • Straight lead (IRFU420, SiHFU420)
  • Available in tape and reel
  • Fast switching
  • Ease of paralleling
  • Material categorization: for definitions of compliance please see
  • www.vishay.com/doc?99912

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Source Content uid IRFR4615PBF Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer Infineon Avalanche Energy Rating (Eas) 109 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 150 V Drain Current-Max (ID) 33 A
Drain-source On Resistance-Max 0.042 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252AA JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 144 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 140 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRFR4615PBF is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications. It features a low on-resistance and a high current rating, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications. The chip is housed in a TO-252 package and is designed for operation in a wide range of environments.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IRFR4615PBF chip are IRFR9210PBF, IRFR4610PBF, IRFR4605PBF, and IRFR4510PBF. These chips are all Power MOSFETs with similar specifications and characteristics suitable for a variety of applications.
  • Features

    IRFR4615PBF is a power MOSFET with a voltage rating of 150V, continuous drain current of 10A, low on-resistance of 0.5 ohms, and a TO-252 package. It is suitable for a wide range of applications including motor control, power supplies, and inverters due to its high efficiency and high power density capabilities.
  • Pinout

    The IRFR4615PBF is a Power MOSFET transistor with 3 pins: source (S), gate (G), and drain (D). It is commonly used in power supply applications due to its high power handling capability. The pin count is 3 and the functions are to control the flow of current between the source and drain using the voltage applied to the gate terminal.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRFR4615PBF is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a semiconductor manufacturing company that produces a wide range of semiconductor products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. They are a global leader in semiconductor solutions and technology.
  • Application Field

    The IRFR4615PBF is commonly used in applications such as power management, DC/DC converters, motor control, and amplifiers. It is suitable for use in industrial, telecommunications, consumer electronics, and automotive applications where high performance and reliability are required.
  • Package

    The IRFR4615PBF is a surface-mount MOSFET chip with a D-Pak package type. It comes in a standard size of 6.6 mm x 9.2 mm x 4.7 mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...