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$5000IRFR7440PBF
High-performance D-Pak MOSFET with 40V, 90A, 2.5 mOhm, and 89 nC Qg
Marken: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Herstellerteil #: IRFR7440PBF
Datenblatt: IRFR7440PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D-PAK
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.274 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRFR7440PBF Allgemeine Beschreibung
The IRFR7440PBF N-channel MOSFET is a game-changer in high power applications, thanks to its impressive characteristics. It boasts a 40V drain-source voltage (Vds) and a continuous drain current (Id) of 120A, coupled with a remarkably low on-resistance of 2.1 mΩ, allowing for efficient power conduction and minimal power loss. Housed in a TO-252 (DPAK) package, it provides thermal stability and easy installation on circuit boards, while its maximum junction temperature of 175°C ensures reliable performance in high-temperature environments. From power supplies to motor control and power management systems, this MOSFET is primed for high-power switching applications due to its high current capability and low on-resistance. Additionally, it is RoHS compliant, making it environmentally friendly and free of hazardous substances
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | IRFR7440PBF | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 376 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 180 A | Drain Current-Max (ID) | 90 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0024 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-252AA | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 140 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 760 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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