Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

IRFS4227TRLPBF 48HRS

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies

Herstellerteil #: IRFS4227TRLPBF

Datenblatt: IRFS4227TRLPBF Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5966 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,502 $1,502
10 $1,292 $12,920
30 $1,159 $34,770
100 $1,024 $102,400
500 $0,963 $481,500
800 $0,937 $749,600

In Stock:5966 PCS

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für IRFS4227TRLPBF oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

IRFS4227TRLPBF Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N-CH, 200V, 62A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 62A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 330W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Funktionen

Advanced Process Technology

Key Parameters Optimized for PDP Sustain,

Energy Recovery and Pass Switch Applications

Low EPULSE Rating to Reduce Power

Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery

and Pass Switch Applications

Low QG for Fast Response

High Repetitive Peak Current Capability for

Reliable Operation

Short Fall & Rise Times for Fast Switching

175C Operating Junction Temperature for

Improved Ruggedness

Repetitive Avalanche Capability for Robustness

and Reliability

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Series HEXFET® Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package D2PAK
Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • 2SK2225-E

    2SK2225-E

    Renesas

    MOSFET Power Transistor 2SK2225-E: Lead-Free, TO-3...

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • SCT30N120

    SCT30N120

    Stmicroelectronics

    N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole H

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...