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$5000IRG4PC50UDPBF
Rugged construction withhermetic encapsulation for reliability
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IRG4PC50UDPBF
Datenblatt: IRG4PC50UDPBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single IGBTs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.694 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRG4PC50UDPBF Allgemeine Beschreibung
Incorporating an ultrafast soft recovery diode, the IRG4PC50UDPBF offers enhanced switching performance and reduced power losses. Its copack design provides a compact and cost-effective solution for applications requiring both IGBT and diode functionality in a single package. This feature makes it suitable for motor drives, inverters, and power supplies
Funktionen
- UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching,>200 kHz in resonant mode
- Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
- IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
- Industry standard TO-247AC package
- Lead-Free
- Features
- UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching,>200 kHz in resonant mode
- Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
- IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
- Industry standard TO-247AC package
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 220 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 27A |
| Power - Max | 200 W | Switching Energy | 990µJ (on), 590µJ (off) |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 180 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 46ns/140ns | Test Condition | 480V, 27A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRG4PC50UDPBF is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for use in high frequency switching applications. It features low switching losses, high power efficiency, and excellent thermal performance. This chip is commonly used in motor control, power supply, and lighting applications.
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Equivalent
The equivalent products of IRG4PC50UDPBF chip are IXGP4N10T, IXTN8N100, 2N7002, IRF540N, and IRG4PC40UDPBF. These are power MOSFET transistors that can serve as replacements for the IRG4PC50UDPBF chip in various applications. -
Features
1. Low Vce(on) IGBT technology for lower conduction and switching losses 2. High current capability (75A) and high voltage rating (600V) 3. Hexavalent chromium-free, RoHS-compliant 4. NPT3 technology for high performance and efficiency 5. Suitable for use in motor control, UPS, and industrial applications. -
Pinout
The IRG4PC50UDPBF is a High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a pin count of 3. Its functions include low VCE(sat), positive temperature co-efficient, and over-current protection. It is commonly used in inductive heating and high frequency ballast lighting applications. -
Manufacturer
The IRG4PC50UDPBF is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors and solutions for industrial applications, automotive, and digital security. They are one of the leading companies in the industry and are known for their high-quality and reliable products. -
Application Field
The IRG4PC50UDPBF is commonly used in power electronics applications such as motor drives, inverters, and industrial control systems. It is also utilized in consumer electronics, telecommunications equipment, and renewable energy systems like solar inverters and wind turbines. Additionally, it can be found in power supplies, UPS systems, and welding equipment. -
Package
The IRG4PC50UDPBF chip comes in a TO-247AC package type, with a through-hole mounting form. Its size dimensions are 10.92mm x 15.38mm x 4.8mm.
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